晶圆尺寸

6”-12”

刻蚀材料

Si、SiC、GaAs、GaN4等可定制

产能

＞38PCS（每次运行180s）

工艺指标

UPTIME>95%,MTTR< 4H ,

颗粒增加值 <20ea@0.2um 8” Bare